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鄭科探KT-Z160T-RL真空探針臺(tái)：精準(zhǔn)溫控與多軸調(diào)節(jié)的科研利器

更新時(shí)間：2026-06-05

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在半導(dǎo)體器件、材料科學(xué)及微電子封裝測試領(lǐng)域，一臺(tái)穩(wěn)定、精準(zhǔn)且易于操作的真空探針臺(tái)是實(shí)驗(yàn)室中的核心設(shè)備。今天，為大家介紹KT-Z160T-RL真空探針臺(tái)，看看它是如何助力科研人員高效完成高精度電學(xué)測試的。

一、產(chǎn)品概覽

KT-Z160T-RL 專為真空環(huán)境下的高低溫電學(xué)檢測設(shè)計(jì)，可廣泛應(yīng)用于微電子、半導(dǎo)體、MEMS、光電材料等領(lǐng)域的器件表征與可靠性測試。

二、核心功能亮點(diǎn)

1. 高精度三軸探針移動(dòng)系統(tǒng)

探針臂支持 X/Y/Z 三軸獨(dú)立微調(diào)，所有移動(dòng)均在真空環(huán)境下完成，調(diào)節(jié)順滑、響應(yīng)靈敏：

X 軸行程：0～30mm（±15mm），精度 ≤0.01mm

Y 軸行程：0～13mm（±12.5mm），精度 ≤0.01mm

Z 軸行程：0～13mm（±12.5mm），精度 ≤0.01mm

用戶可根據(jù)被測器件（DUT）的焊盤位置，自由調(diào)節(jié)探針落點(diǎn)，配合顯微鏡觀察，輕松實(shí)現(xiàn)微米級對準(zhǔn)。

2. 寬溫區(qū)加熱臺(tái)與高低溫控制

加熱臺(tái)材質(zhì)：304不銹鋼，尺寸 φ50mm

溫度范圍：-194℃ ～ 400℃（液氮制冷 + 加熱）

控溫誤差：±0.5℃

加熱臺(tái)與觀察窗間距：75mm，便于物鏡工作

搭配2026款高低溫溫控器，實(shí)現(xiàn)雙向溫度控制：

支持升溫和降溫速率調(diào)節(jié)，每分鐘 ≤20℃

內(nèi)置加熱電壓/電流反饋 + 制冷泵參數(shù)反饋

溫控器體積縮小 20%，最大輸出功率 500W

優(yōu)化算法與輸出模塊，控溫更平穩(wěn)

3. 真空與氣氛環(huán)境

腔體材質(zhì)：304不銹鋼，內(nèi)腔尺寸 φ160×90mm

上蓋開啟方式：鉸鏈側(cè)開，方便取放樣品

真空度：

機(jī)械泵 ≤10Pa

分子泵 ≤10?3Pa

允許正壓：≤0.05MPa

抽氣口：KF25 真空法蘭

進(jìn)氣口：3mm～6mm 卡套接頭，支持惰性氣體或反應(yīng)氣體引入

4. 電學(xué)性能與探針配置

電信號(hào)接口： BNC × 4

絕緣電阻：≥4000MΩ

介質(zhì)耐壓：≤500V

漏電流：飛安級別，可以測試更精密的器件

探針數(shù)量：4 根（可根據(jù)需求增加第 5探針臂或光纖引入）

探針材質(zhì)：鍍金鎢針，針尖直徑 10μm，兼顧導(dǎo)電性與耐磨性

可增加光纖引入，滿足光電聯(lián)合測試需求

可增加第 5 探針臂，支持多端器件（如四端法、柵極偏置等）測試

四、典型應(yīng)用場景

| 半導(dǎo)體器件 | MOS管、二極管、IGBT、功率芯片 |

| 材料電學(xué) | 納米材料、二維材料、薄膜電阻 |

| 光電探測 | 光電器件、太陽能電池 |

| 低溫物理 | 超導(dǎo)材料、量子器件 |

| MEMS | 微執(zhí)行器、傳感器 |

2026款高低溫溫控器的升級，使升降溫過程更加可控、穩(wěn)定，雙向速率調(diào)節(jié)能力顯著提升了溫度循環(huán)測試的效率與重復(fù)性。同時(shí)，支持光纖與額外探針臂的擴(kuò)展，讓這臺(tái)探針臺(tái)能夠靈活應(yīng)對未來更加復(fù)雜的測試需求。

上一條鄭科探KT-Z4019M4T-RL 小腔體里的大世界
下一條一臺(tái)好用的直流磁控濺射儀，應(yīng)該具備哪些硬實(shí)力？

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